9430万中国科学院苏州纳米技术与纳米

商情概要

近日,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所(以下简称为“中科院苏州纳米所”)公布了全年政府采购意向,包含超高速摄像机、临时键合解键合机、湿氧氧化炉、单片清洗机、接触式光刻机、高真空回流炉(旧)、多靶共溅射台、电子束蒸发台、低损伤ITO溅射(旧)、半自动半导体射频探针台、常压金属有机物化学气相沉积设备、磁控溅射设备、真空解离与钝化、原位Mask器件级图案化分子束外延设备、低温强磁场综合物性测试设备、HF/XeF2气相刻蚀设备、脉冲激光沉积设备、原位扫描电子显微镜、镜面反射吸收红外-程序升温脱附设备(原位红外吸收光谱)、多源有机蒸发镀膜设备、准原位光谱系统、MBE-原位生长动力学研究设备、超高真空管道23种仪器设备,采购金额近万元,多数拟采购的仪器设备多用于半导体研究领域。尤其12月,中科院苏州纳米所预计采购仪器设备总金额高达.75万元。仪器买卖对这些采购意向进行汇总整理(时间由近及远)。

注:所有采购意向均未进入招标流程。

采购意向详情

一、超高速摄像机

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-06

采购需求概况:功能及目标:(1)*分辨率,最高拍摄速率:5fbs(2)快门速度:ns(3)曝光时间:ns(4)图像数量:(5)独特的uCMOS图像传感器具有*

万帧/秒的超高速图像连续拍摄能力,最小曝光50ns。采购数量:1台能够清晰的拍摄并记录粒子的行动轨迹及粒子高速冲击穿透材料的过程和破坏形态。超高速摄像机可以捕捉防护材料在高速冲击过程中的破坏形态以及粒子穿透材料前后的变化。因此超高速摄像机是当前项目对防护材料进行微观研究分析的核心设备。

二、临时键合解键合机

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-06

采购需求概况:主要功能如下:通过加热、冷却及压力来进行超薄键合及解键合工艺;可支持4、6、8英寸晶圆的临时键合解键合,目的是通过减薄工艺减薄工艺以及通孔技术开发,可以优化电力电子器件散热、高频响应等特性。这些问题的有效解决需要配置键合解键合设备以满足一系列复杂需求。采购数量为1套,超净实验室现有场务条件:独立配电柜、真空泵,能够满足该设备正常运行。以实际公告为准。

三、湿氧氧化炉

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-06

采购需求概况:主要功能如下:可兼容6英寸及以下的垂直腔面激光器水汽氧化;配置N2工艺气体,常压水汽氧化工艺。湿氧氧化是垂直腔面发射激光器制备工艺中最重要的工艺步骤,其氧化结果对器件性能有着十分重要的影响,可解决氧化均匀性、氧化速率控制等问题,以进一步提升性能、提高良率以达到更高的项目需求。超净实验室现有场务条件:独立配电柜、循环水系统以及超纯氮气、氧气,经能够满足该设备正常运行。本设备无需特殊配套设备需求。以实际公告为准。

四、单片清洗机

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-03

采购需求概况:具有兆声清洗功能,氮气吹扫功能,清洗过程自动控制,可去除晶圆表面纳米级颗粒物,采购数量1台。以实际公告为准。

五、接触式光刻机

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-03

采购需求概况:LED光源:mm区域光强均匀性±2.5%;具备正面、背面对准;曝光模式:接近、软接触、硬接触、真空接触;采购数量1台。以实际公告为准。

六、高真空回流炉(旧)

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-03

采购需求概况:温度范围:室温到℃;极限真空度:<10-7mbar;升温速率:<℃/分钟;降温速率:<60℃/分钟;可进行吸气剂激活工艺。采购数量1台。以实际公告为准。

七、多靶共溅射台

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-03

采购需求概况:可以用2种及以上数量的材料共溅射,实现不同材料、不同比例之间的灵活控制;同时样品可进行加热,工艺前去除样品表面的水汽,以及提高薄膜的致密性等;设备配置LoadLock,既保证工艺腔的高真空环境,又能提高工艺效率。8寸兼容小尺寸样品的磁控溅射镀膜设备。以实际公告为准。

八、电子束蒸发台

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-10

采购需求概况:可以用于Al、Ti、Au、AlCu等材料的高均匀性镀膜工艺,在SAW、BAW器件中,薄膜的高均匀性分布非常关键,直接影响器件的良率。普通蒸发设备的均匀性指标只能做到±5%,无法满足SAW、BAW器件的高均匀性薄膜指标要求。以实际公告为准。

九、低损伤ITO溅射(旧)

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-02

采购需求概况:实现低电阻率ITO薄膜沉积;实现高透光率的ITO薄膜溅射沉积;实现低的离子损伤,在ITO和GaN等材料的界面处不引入明显缺陷。以实际公告为准。

十、半自动半导体射频探针台

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-03

采购需求概况:实现主要功能:配合高频测试仪表,实现射频/毫米波器件测试,包括S参数测试、负载牵引测试等;采购标数量:1;采购标满足的质量、服务等要求:(1)测试频率范围,可实现从直流到67GHz射频测试,后期可升级到GHz,最高可升级到GHz;(2)EMI屏蔽,30dB(典型值)

1kHzto1MHz;光衰减≥dB;光谱噪声基底≤-dBVrms/rtHz(≤1MHz);系统交流电噪声≤5mVp-p(≤1GHz)。(3)载物台温度,温控范围20~oC;温度精度±0.1oC;温度均匀性±0.5oC(oC以内)。

十一、常压金属有机物化学气相沉积设备

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-12

采购需求概况:需满足生长3片2英寸或1片4英寸的外延片;生长温度最高0度,生长压力最高0mbar;材料厚度和掺杂均匀性标准差≤3%;材料C和O杂质本底浓度≤1E17cm-3;InGaN量子阱发光波长标准差≤5nm。目的是提高绿光激光器性能的关键是MOCVD生长高质量大应变的绿光InGaN量子阱有弯曲,解决MOCVD生长过程中绿光InGaN量子阱存在的In偏析和热稳定性差的问题。由于InGaN材料的N汽相压力高,提高生长压力有望抑制In的偏析和改善InGaN量子阱的热稳定性。

十二、磁控溅射设备

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-12

采购需求概况:需满足2英寸到6英寸兼容;材料厚度均匀性标准差≤5%;ITO方块电阻均匀性≤10%,目的是研制高性能绿光激光器的一个难点是解决绿光量子阱增益区在p型层生长过程中的热退化问题,途径之一是需要低温制备p型限制层,消除绿光量子阱热退化形成的暗斑缺陷,磁控溅射可以低温甚至室温沉积透明导电氧化物作为绿光激光器的p型限制层,有望解决此难题,从而研制高性能的InGaN绿光激光器。沉积工艺损伤小可以获得低的欧姆接触电阻,超平整薄膜可以降低透明导电氧化物的光损耗。

十三、真空解离与钝化

预算金额:.000万元(人民币)

预计采购时间:-12

采购需求概况:需满足解理室真空度可达5E-10Torr;钝化室真空度可达2E-10Torr;专用的承片架可满足bar条12mm-15mm宽度,bar条腔长范围1.0mm-4.0mm;钝化室为电子束蒸发源,配备石英晶振测厚。目的是提高绿光激光器性能的关键问题之一是实现高质量的腔面镀膜,该设备能够防止bar条解理过程中腔面氧化导致的后续工作中出现腔面灾变。该设备是实现高功率绿光激光器的必须设备。

十四、原位Mask器件级图案化分子束外延设备

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-12

采购需求概况:不仅具备优异的二维材料制备功能(可制备石墨烯、硒化物等多种新颖的二维材料),同时具备从材料生长到原型器件制作的能力。满足条件预处理室本底真空度优于5×10-10mbar,衬底温度可达℃;生长室本底真空度优于2×10-10mbar,衬底温度可范围K至K,2英寸衬底上生长的材料均匀性优于±1.5%;掩膜板腔体本底真空度优于5×10-10mbar,掩膜精度2微米。

十五、低温强磁场综合物性测试设备

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-12

采购需求概况:需满足温度:1.9K-K,温控精确度:±1%(从零场到满场)温度扫描速率:0.01-8K/min,温度稳定性:±0.2%(10K);±0.02%(10K),纵向磁体,磁场强度:±14T,场均匀性:0.1%over5.5cm×φ1cm柱形空间;磁场稳定性:1ppm/hr,扫描速度:最高Oe/sec.磁场分辨率:0.3高斯(0H1.5T);3高斯(1.5TH14T),样品腔真空度10e-5Torr。

十六、HF/XeF2气相刻蚀设备

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-12

采购需求概况:需满足背景真空度1E-9Torr,刻蚀速率A/min~0A/min,两寸样品上刻蚀均匀性好于10%。

十七、脉冲激光沉积设备

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-12

采购需求概况:需满足高压RHEED工作气压30Pa以下;工作温度可达0℃;可实现多靶沉积;样品台与靶间距可在60mm-mm内调节;目的是制备高质量的化合物薄膜,包括氧化物,氮化物,以及其他介电化合物等,是探测器相关薄膜制备的必备设备,也是在强关联氧化物薄膜以及相关异质结制备的特色工具。

十八、原位扫描电子显微镜

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-12

采购需求概况:环境扫描电镜可用于多种材料生长的表面过程实时监控,相比于传统超高真空扫描电镜,工作气压范围可以由超高真空到0.8个大气压,工作温度范围可由室温至0℃。环境扫描电镜能够在1℃以下可实现表面敏感成像,在探测表面催化反应过程,二维晶体材料在金属催化剂表面的演化动态行为以及原位关联表面动态行为与材料热动力行为等研究领域必不可少。

十九、镜面反射吸收红外-程序升温脱附设备(原位红外吸收光谱)

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-12

采购需求概况:UV至THz的宽波段一次性成谱。全新动态校准UltraScan干涉仪,无摩擦轴承,永久准直,分辨率0.2cm-1,可选好于0.06cm-1;波数精度优于0.cm-1;高通量光源,灵敏度可达0.分子单层;真空型,光路真空好于0.1mbar。

二十、多源有机蒸发镀膜设备

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-12

采购需求概况:需满足水氧指标:小于1ppm,泄露率:小于0.%vol/h,恢复工作时间2小时,控温精度±1度,极限真空度≤6*10^-5Pa,工作真空度6x10-4Pa,膜厚探测精度±0.1nm。目的是用于金属以及p-型、n-型、p-型掺杂、n-型掺杂分子半导体薄膜的沉积制备。

二十一、准原位光谱系统

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-12

采购需求概况:真空度要求为5x10-8Pa,测试光谱范围为~1nm,样品至窗口距离≤15mm,满足显微光谱建设要求。基于真空互联实验站项目的技术定位和研究目标以及超高真空环境下原位无损光学技术表征的广泛需求,提出了超高真空环境下准原位光谱系统的研发与建设。规划建设的光谱测量系统,拟建成如下测试能力:变温光谱学能力、显微光谱测试能力、多光谱扫描成像能力和超高真空及气氛控制测试能力,故而对精密位移控制、温度控制、显微光学设计、真空设计等诸环节有着综合性的技术要求。

二十二、MBE-原位生长动力学研究设备

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-12

采购需求概况:需满足生长腔真空度2x10-10mbar;生长温度RT-0C;衬底尺寸此设备主要用于原位分析半导体外延制备过程中的各种动力学过程,尤其是晶格失配度较大时,薄膜外延应力,薄膜生长初期形核形以及原子扩散等机理。

二十三、超高真空管道

预算金额:.万元(人民币)

预计采购时间:-12

采购需求概况:需满足传输室极限真空度:≤2×10-10Torr;工作真空度:≤6×10-10Torr。真空检漏漏率:≤5×10-11Torr.L/S。小车在传输室内运行速度0~3m/min可调,小车定位准确、重复性好、运行平稳。真空管道与传输系统把各功能设备相互连接,相当于在地球表面建立了一个太空环境,解决了传统超净间模式中难以解决的尘埃、表面氧化和吸附等污染问题,突破现有仪器设备的功能限制,实现材料制备、测试分析与微纳加工工艺等方面协同效应,为科研和战略性新兴产业发展提供先进的、开放性的平台。

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所(简称中科院苏州纳米所)由中国科学院与江苏省人民政府、苏州市人民政府和苏州工业园区于6年共同创建,位于风景秀丽的苏州工业园区独墅湖科教创新区内。

苏州纳米所前瞻布局了电子信息、纳米材料、生物医学等重点研究领域,整合优势力量,凝练学科方向。积极承担国家重大科技任务,开展相关领域前沿科学研究与关键核心技术攻关,建立了一支包括院士、国家杰青等国家重点人才的科技创新队伍,产出了一批原创性科技成果,自主研发了一系列仪器设备,形成了具有自身特点的科研体系,努力成为纳米科技领域的国家战略科技力量。

科技基础设施是纳米科技创新的基石,苏州纳米所密切围绕重点攻关领域,建设了纳米真空互联实验站、纳米加工平台、测试分析平台、生化平台4个集科研攻关与公共服务于一体的公共技术平台,加强支撑国家重大科研任务的能力,服务科学研究和产品开发,形成共性技术,着力原创设备研发,促进区域产业集聚与发展,加强科技创新资源的优势转化,为纳米科技发展和相关领域产业发展提供强有力的支撑。

组织机构

研究队伍

杨辉

研究员、博士研究生。

邮箱:hyang6

sinano.ac.cn

主要从事III-V族化合物半导体的材料生长,物理分析,以及器件研究。

研究领域:

1.分子束外延和金属氧化物化学气相淀积;

2.氮化镓基发光二极管和激光器;

3.三五族太阳能电池。

徐科

研究员、博士研究生。

邮箱:kxu6

sinano.ac.cn

现任科技部战略先进电子材料专题组专家,中国电子学会高级会员、电子材料分会副主任委员,中国光学学会光学材料委员会副主任委员。

一直围绕高质量氮化物半导体材料生长开展工作,研究领域:

(1)III族氮化物材料的生长与材料物理研究,探索高质量氮化物单晶材料生长的新原理、新方法与新装备,致力于极低缺陷密度氮化物材料的生长;

(2)宽禁带半导体与二维材料的异质结构生长制备与物性研究,探索宽禁带材料与二维材料的表面、界面与量子体系中的新奇物性,发展新结构器件与材料制备新方法;

(3)围绕宽禁带半导体材料与器件、低维异质量子结构的物理研究,发展新的测试方法、技术与装备,支撑相关研究的可持续创新发展。

王强斌

研究员、博士研究生。

邮箱:qbwang8

sinano.ac.cn

中科院纳米-生物界面重点实验室主任,中科院苏州纳米所学术委员会副主任。

聚焦无机半导体近红外量子点可控合成、光学性质调控及其在活体成像中的应用研究,研究领域:

(1)无机半导体纳米晶可控制备及其在光电、催化等领域中的应用研究;

(2)生物大分子指导的离散纳米结构自组装及其光学性质研究;

(3)活体荧光影像技术在疾病诊疗、药物筛选以及干细胞再生医学等领域中的应用研究。

资讯解读

资讯商机订单

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